BJT MOSFET IGBT 比較
「BJT MOSFET IGBT 比較」熱門搜尋資訊
BJTSCRJFETMOSFETIGBT器件分析原创
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本文章主要讲述五种主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，为阻态，开通，通态以及关断其器件内部的原理，从而更好的了解器件工作，更好的区分 ...
BJT、MOSFET、IGBT性能對比
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從原理來看，IGBT是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件，不僅具有MOSFET開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小等優點，還具備 ...
BJT与MOSFET与IGBT的区别
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一.MOSFET与IGBT的区别. 从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET 的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合， ...
IGBT和MOSFET的正向特性比较
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与低电流区域中的IGBT相比，MOSFET提供的压降更低，性能更高，而IGBT与高电流区域中的MOSFET相比具有更好的正向特性。 IGBT的优势在于高温和高电流区域。
IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
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IGBT的开关速度比较低，MOSFET开关速度非常高。 IGBT可以承受非常高的电压以及大功率，MOSFET仅适用于低至中压应用。 IGBT具有较大的关断 ...
〈分析〉一文解析MOSFET、IGBT產業與獨領風騷之處
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最後，若當電子元件需要進行高速開關動作，MOSFET 則有絕對的優勢，主要在於IGBT 因有整合BJT，而BJT 本身存在電荷存儲時間問題，也就是在OFF 時需耗費較長時間 ...
所謂電晶體－分類與特徵
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IGBT的動作雖然與MOSFET相同，藉由將電壓施加於閘極形成通道﹙channel﹚使電流流動，不過MOSFET（Nch例）讓電流於相同N型的源極和汲極間流動，而IGBT則讓電流從P ...
比較四種開關元件的效率
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IGBT可處理高達5,000V的電壓和1,000A的電流，但其最大開關頻率不超過100kHz；MOSFET在高頻下工作良好，但導通電阻相對較高；而SiC元件可以克服所有這些問題。
详解IGBT MOSFET与BJT的区别
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BJT与MOSFET最大的区别在于：BJT的基极（控制极）是有小电流流入的，整个管子是小电流控制大电流，一般也是工作在线性放大区，主要应用于模拟器件。而MOSFET的栅 ...